Импортозамещающие пассивные барьеры искрозащиты серии ЭнИ-БИС-150-Ех
Предназначены для сопряжения контрольно-измерительного оборудования взрывобезопасной зоны с устройствами и приборами, находящимися во взрывоопасной зоне, в качестве разделительных элементов между искробезопасными и искроопасными цепями. Осуществляют ограничение электрической энергии, подаваемой во взрывоопасную зону.
Прозрачны для HART-протокола, частотных и импульсных сигналов.
Замена импортных аналогов.
Маркировка по взрывозащите [Ех ia Ga] IIC/IIВ или [Ех ib Gb] IIC/IIВ.
Монтаж на DIN-рейку или стену.
Минимальная погрешность при передаче сигнала.
Не требуют источника питания.
Применение:
передача унифицированных токовых сигналов 0...5, 4...20, 0...20 мА;
преобразование унифицированных токовых сигналов в сигнал 1…5 В;
подключение:
тензодатчиков по шестипроводной схеме;
вибродатчиков;
датчиков с выходными частотными сигналами;
датчиков с выходом типа «сухой контакт»;
датчиков с дискретным сигналом по стандарту NAMUR;
термопар и термосопротивлений;
устройств с входным управляющим унифицированным токовым сигналом;
электромагнитных клапанов (соленоидов);
светодиодных индикаторов.
Все барьеры серии одноканальные.
Выпускаются по ТУ 4218-007-51465965-2004
Шунт-диодные барьеры искрозащиты («барьеры на зенеровских диодах») — барьеры искробезопасности, состоящие из шунтирующих стабилитронов, последовательно включенных токоограничивающих резисторов и плавких предохранителей.
Подробно принцип действия шунт-диодных барьеров искробезопасности описан в разделе ЭнИ-БИС-100-Ех.
Барьеры соответствуют требованиям ГОСТ 31610.0, ГОСТ 31610.11 для подгрупп IIB, IIC.
Модельный ряд барьеров серии ЭнИ-БИС-150-ЕхОсновные технические характеристики, характеристики взрывозащиты
Наименование | Маркировка | Uвх.max, В | Iпр, мА | Rмax, Oм | Um, В | Uо, В | Iо, мА | Pо, Вт | Со, мкФ | Lо, мГн | ||
IIС | IIB | IIC | IIB | |||||||||
ЭнИ-БИС-150-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 8,5 | 40 | 1539 | 250 | 13 | 9 | 0,03 | 0,32 | 0,63 | 438 | 1316,9 |
8,5 | 40 | 1539 | 13 | 9 | 0,03 | 0,32 | 0,63 | 438 | 1316,9 | |||
ЭнИ-БИС-151-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 6,14 | 4,2 | 12,6 | |
8 | 40 | 96 | 10 | 200 | 0,5 | 0,53 | 1,07 | 0,88 | 2,7 | |||
ЭнИ-БИС-151-Ех-DC(+)-R250 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 6,14 | 4,2 | 12,6 | |
8 | 40 | 96 | 10 | 200 | 0,5 | 0,53 | 1,07 | 0,88 | 2,7 | |||
ЭнИ-БИС-152-Ex-DC(–) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 22 | 40 | 354 | 26 | 86 | 0,56 | 0,08 | 0,16 | 4,8 | 14,4 | |
16 | 40 | 428 | 19,5 | 51 | 0,26 | 0,14 | 0,28 | 13,6 | 41 | |||
ЭнИ-БИС-153-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 13,5 | 40 | 144 | 15,5 | 157 | 0,61 | 0,22 | 0,44 | 1,4 | 4,3 | |
13,5 | 40 | 144 | 15,5 | 157 | 0,61 | 0,22 | 0,44 | 1,4 | 4,3 | |||
ЭнИ-БИС-154-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 17,2 | 40 | 176 | 21 | 142 | 0,75 | 0,12 | 0,24 | 1,7 | 5,3 | |
17,2 | 40 | 176 | 21 | 142 | 0,75 | 0,12 | 0,24 | 1,7 | 5,3 | |||
ЭнИ-БИС-155-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 6,9 | 40 | 120 | 9 | 122 | 0,27 | 0,66 | 1,32 | 2,3 | 7,2 | |
6,9 | 40 | 120 | 9 | 122 | 0,27 | 0,66 | 1,32 | 2,3 | 7,2 | |||
ЭнИ-БИС-156-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 15 | 40 | 150 | 18 | 147 | 0,66 | 0,16 | 0,33 | 1,6 | 4,9 | |
15 | 40 | 150 | 18 | 147 | 0,66 | 0,16 | 0,33 | 1,6 | 4,9 | |||
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |
23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |||
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(–) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |
23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |||
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+)-d | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |
23,5 | 40 | диод | 28 | — | — | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |||
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(–)-d | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |
23,5 | 40 | диод | 28 | — | — | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |||
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+)-d-P | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 280 | 28 | 110 | 0,77 | 0,07 | 0,14 | 2,9 | 11,7 | |
23,5 | 40 | диод | 28 | — | — | 0,07 | 0,14 | 2,9 | 11,7 | |||
ЭнИ-БИС-158-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
ЭнИ-БИС-158-Ex-DC(–) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 23,5 | 40 | 354 | 28 | 92 | 0,64 | 0,07 | 0,14 | 4,2 | 12,6 | |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
ЭнИ-БИС-159-Ex-АС-Р | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 8,5 | 40 | 103 | 13 | 176 | 0,57 | 0,32 | 0,63 | 1,1 | 3,47 | |
8,5 | 40 | 103 | 13 | 176 | 0,57 | 0,32 | 0,63 | 1,1 | 3,47 |
Подробнее Скрыть